안녕하세요.
주식 이슈를 알려주는 직장인 하마입니다.
SK하이닉스 전망, 반도체 슈퍼싸이클, 낸드플레시와 D램 이슈로 살펴보기
오주브(오늘의 간단주식 브리핑)는
SK하이닉스입니다.
<출처_SK하이닉스>
12월 30일 장마감을 기준으로
SK하이닉스의 주가는 전날대비 약 2% 상승한
118,500원을 기록하고있습니다.
<출처_네이버금융>
물론 장기간 기준으로 우상향하고 있지만,
SK하이닉스에 투자하시는 개인투자자분들은
삼성전자 주가는 훨훨 나는데 비해,
SK하이닉스의 주가는 더디게 오르는 것처럼
느껴질 수 있다고 생각합니다.
따라서 앞으로 21년의 SK하이닉스의 주가 전망은
어떨 지 이슈를 통해 분석해보고자 합니다.
이슈의 대목 슈퍼싸이클이며, 그 소재는 다음과 같습니다.
1. 낸드플래시
2. D램
SK하이닉스 최고층 176단 낸드플레시 공개하다.
현재, 낸드플레시 시장에서 1위는 삼성전자입니다.
따라서, SK하이닉스는 메모리반도체 사업부문에서
삼성전자와의 격차를 따라잡기 위해서 첫 번째
무기로 차세대 낸드플레시를 선택했습니다.
이를 위해서 12월에 SK하이닉스는 176단 낸드플래시
개발을 발표했으며, 이는 지금까지의 낸드플래시 중
최고층 제품입니다.
<출처_SK하이닉스>
낸드플레시는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등에
사용되는 메모리 반도체입니다.
최근 게임의 사양이 높아지면서, PC에서 장착되는
SSD의 수요가 증가하고 있습니다.
이에 따라 면적대비 더 많은 데이터를 저장할 수 있는
낸드플레시을 개발하기 위해 메모리반도체 간 경쟁이
치열합니다.
이 경쟁 속에서 현재 SK하이닉스가 먼저 최고층인
176단 낸드플래시를 공개하면서 시장의 선점을 잡으려
노력하고 있습니다.
셀을 수직으로 쌓는 적층 낸드플레시의 경우, 적층 단수가
높을수록 더 저장효율이 좋은 제품이 됩니다.
하지만, SK하이닉스가 최고층 낸드플레시를 최초로
공개했다고 해서 향후 전망이 반드시 유리하다고만은
할 수 없습니다.
그 이유는 낸드플래시를 쌓은 과정에서 층을 연결하기 위해
나노미터 단위를 구멍을 뚫어야하는 데, 이 공정에서의
기술이 중요합니다.
<출처_SK하이닉스>
삼성은 생산비용이 저렴하지만 고도의 기술이 필요한 싱글스텍
기술을 활용하고 SK하이닉스는 더블스택 기술은 활용하고 있습니다.
더블스택은 싱글스택 대비 기술의 구현이 용이하지만, 생산비용이 더
높다고 할 수 있습니다.
따라서, 향후 최고층의 낸드플래시는 개발에서 끝나는 것이 아닌
생산 시 그 가격경쟁력이 시장선점에 있어서 중요한 포인트가 될 것으로 보입니다.
또한, 낸드플레시의 생산을 위한 시설투자에도 삼성전자의 투자금액이
SK하이닉스보다 3배 가량 높기 때문에, 공급량에서도 차이가 있을 것으로 보입니다.
따라서, 향후 낸드플래시 부분에서 최고층 낸드플래시를 공개한 것은
SK하이닉스에게는 분명 호재지만, 시장선점을 위해서는
가격경쟁력과 생산공급량이라는 해결해야 할 과제가 있는 것으로 예상됩니다.
최고층 낸드플레시에 이어, DDR5 D램을 먼저 출시한 SK하이닉스
<출처_SK하이닉스>
지난 10월에 SK하이닉스는 세계 최초로 DDR5를 출시했습니다.
DDR5는 현재 사용되는 DDR4보다 전송 속도와 용량이 더 높은 단계의
차세대 제품입니다.
특히, 데이터 전송 속도는 최대 6400메가비트로 기존의 DDR4보다 2배가량 빠릅니다.
최근 반도체 시장에서 반도체의 가격이 장기간 상승하는
슈퍼사이클이 전망되면서, SK하이닉스는 DDR5의 시장 선점을 위해서
보다 이른 출시를 발표한 것으로 보입니다.
<출처_아시아경제>
그 이유는,
DDR5은 현재 DDR4보다 단가가 높은데, 현 반도체 가격이 상승하는
슈퍼사이클의 시점을 잘 이용하면 반도체 시장선점이 가능하기 때문입니다.
만약, SK하이닉스의 DDR5이 향후 D램의 시장을 선점한다면,
DDR4보다 단가가 높기 때문에, SK하이닉스의 수익성 개선에도
긍정적인 효과를 줄 것으로 예상됩니다.
<출처_SK하이닉스>
이처럼 SK하이닉스가 단 기간 내 현 낸드플래시와 D램시장의 1위인
삼성전자를 추월하는 것은 어려워보이지만, 슈퍼싸이클을 잘 활용한다면
그 격차를 줄일 수 있을 것으로 보입니다.